1、以下關(guān)于運(yùn)行工況對(duì)電流互感器傳變誤差的描述正確的是( )?！締芜x題】

A.在二次負(fù)荷功率因數(shù)不變的情況下,二次負(fù)荷增加時(shí)電流互感器的幅值誤差和相位誤差均減小

B.二次負(fù)荷功率因數(shù)角增大，電流互感器的幅值誤差和相位誤差均增大

C.二次負(fù)荷功率因素角減小，電流互感器的幅值誤差和相位誤差均減小

D.電流互感器鐵芯的導(dǎo)磁率下降，輻值誤差和相位誤差均增大

參考答案:A

答案解析：

當(dāng)二次負(fù)荷功率因素角增大時(shí)，電流幅值誤差增大，根位差減?。划?dāng)電流互感器鐵芯的導(dǎo)磁率下降時(shí)，幅值誤差和相位誤差均增大。

2、列寫結(jié)點(diǎn)電壓方程時(shí)，圖示部分電路中結(jié)點(diǎn)B的自導(dǎo)為（）。【單選題】

A.4S

B.6S

C.3S

D.2S

參考答案:A

3、長(zhǎng)空氣間隙在操作沖擊電壓作用下的擊穿具有何種特性? （）【單選題】

A.擊穿電壓與操作沖擊電壓波尾有關(guān)

B.放電V-S特性呈現(xiàn)U形曲線

C.擊穿電壓隨間隙距離增大線性增加

D.擊穿電壓高于工頻擊穿電壓

參考答案:B

答案解析:A項(xiàng)擊穿電壓與操作沖擊電壓波前有關(guān)；C項(xiàng)，擊穿電壓隨間隙距離增大不是線性變換的；D項(xiàng)，擊穿電壓低于工頻擊穿電壓。B項(xiàng)，擊穿電壓與波頭時(shí)間呈現(xiàn)U形曲線，這是因?yàn)榉烹姇r(shí)延和空間電荷的形成和遷移引起的。U形曲線極小值左邊，擊穿電壓隨波前縮短(放電時(shí)間縮短)而增大——放電時(shí)延因素的作用減少；U形曲線極小值右邊，擊穿電壓隨波前增大而上升——電壓作用時(shí)間增加后，空間電荷遷移范圍擴(kuò)大，改善了間隙的磁場(chǎng)分布。

4、非正弦交流電的有效值等于(  )。

A.各次諧波有效值之和的平均值；

B.各次諧波有效值平方和的平方根；

C.各次諧波有效值之和的平方根；

D.一個(gè)周期內(nèi)的平均值乘以1.11。

參考答案：B

5、晶體管符號(hào)中，箭頭朝外者，表示它是(  )。

A.硅管；

B.鍺管；

C.NPN管；

D.PNP管。

參考答案：C

6、沖擊電流是指短路前空載、電源電壓過零發(fā)生三相短路時(shí)全短路電流的( )?！締芜x題】

A.有效值

B.—個(gè)周期的平均值

C.最大瞬時(shí)值

D.—個(gè)周期的均方根值

參考答案:C

7、晶體管符號(hào)中，箭頭朝內(nèi)者，表示它是(  )。

A.硅管

B.鍺管

C.NPN管

D.PNP管

參考答案：D

8、500kV線路均采用4×LGJ400導(dǎo)線，本期4回線路總長(zhǎng)度為303km，為限制工頻過電壓，其中一回線路上裝有120Mvar并聯(lián)電抗器；遠(yuǎn)景8回線路總長(zhǎng)度預(yù)計(jì)為500km，線路充電功率按1.18Mvar/km計(jì)算。請(qǐng)問遠(yuǎn)景及本期工程該變電所35kV側(cè)配置的無功補(bǔ)償?shù)蛪弘娍蛊魅萘繛橄铝心慕M數(shù)值（）?

(A)590Mvar、240Mvar

(B)295Mvar、179Mvar

(C)175Mvar、59Mvar

(D)116Mvar、23Mvar

參考答案：C

解答過程：根據(jù)《330kv～750kv變電站無功補(bǔ)償裝置設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)定》(DL/T5014—2010)條文說明第5.0.7條：按就地平衡原則，變電站裝設(shè)電抗器的最大補(bǔ)償容量，一般為其所接線路充電功率的1/2。故遠(yuǎn)景電抗器的補(bǔ)償容量為500×1.18/2Mvar=295Mvar，現(xiàn)有一回線路上裝有120Mvar并聯(lián)電抗器，可得低壓電抗器的補(bǔ)償容量為(295-120)Mvar=175Mvar。同理，本期的低壓電抗器的補(bǔ)償容量為(303×1.18/2-120)Mvar≈59Mvar。

9、—臺(tái)三相變壓器的聯(lián)結(jié)組為Yd5 ,其含義表示此時(shí)變壓器原邊的線電壓滯后副邊對(duì)應(yīng)的線電壓( )。 【單選題】

A.30°

B.150°

C.21°

D.330°

參考答案:C

10、關(guān)于可編程邏輯陣列PLA ,下列說法正確的是（）?！締芜x題】

A.PLA結(jié)構(gòu)是與門陣列固定連接，而或門陣列可編程

B.PLA結(jié)構(gòu)是或門陣列固定連接，而與門陣列可編程

C.PLA結(jié)構(gòu)是與門陣列和或門陣列都可以編程

D.PLA中，一個(gè)地址碼對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元是唯一的

參考答案:C

答案解析:PLA主要由“與”陣列、“或”陣列構(gòu)成，兩個(gè)陣列均可編程。

（責(zé)任編輯：中大編輯）

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