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案例分析

一、建設項目與相關產業(yè)政策的相符性分析

“線寬以下大規(guī)模集成電路設計制造”列入《產業(yè)結構調整指導目錄(2005 年本)》中鼓勵類，是當前國家重點鼓勵發(fā)展的產業(yè)。2001年11月，國家發(fā)展計劃委 員會和科學技術部頒發(fā)的《當前優(yōu)先發(fā)展的高技術產業(yè)化重點領域指南》第17條規(guī)定， 近期產業(yè)化的重點是：以加強集成電路設計為重點，積極支持集成電路設計和整機開發(fā) 相結合，設計開發(fā)市場需求較大的整機產品所需的各種專用集成電路和系統(tǒng)級芯片，線寬0.18 以下的深亞微米集成電路及配套的IP庫。擴大集成電路生產加工和封裝能力， 提高工藝技術水平，擴大產品品種和生產規(guī)模;積極鼓勵國內外有經濟實力和技術實力的企業(yè)以及投資機構在國內建立國際先進水平的集成電路芯片生產線，提高我國集成電路生產技術水平。

原國家經濟貿易委員會、財政部、科學技術部、國家稅務總局《關于印發(fā)〈國家產 業(yè)技術政策〉的通知》(國經貿技術[2002]444號)的“四、重點產業(yè)技術發(fā)展方向，(一)高新技術及產業(yè)化”中明確：要優(yōu)先發(fā)展深亞微米集成電路。

本項目產品方案為8英寸0.35 ~ 0.18 jLim芯片和12英寸0.13 ~ 0.09 )Lim芯片，屬深 亞微米集成電路，符合國家產業(yè)政策要求。

二、項目分析

1. 工程分析的基本要求和要點

芯片生產的工藝復雜，約有數百道工序，使用50多種化學原料，其中包括20多種化 學危險品。此類工程應給出全廠生產總流程和標示排污節(jié)點的工藝流程圖，并應有原、輔料消耗表。案例中將生產工藝概況為硅片清洗、氧化、光刻、蝕刻、擴散、離子植入、化 學氣相沉積、金屬化、后加工等九部分是適宜的。鑒于此類項目須用多種有毒有害化學品，工程分析應作總物料衡算和主要污染因子，如氟、氯平衡。需要注意的是一些生產工藝會被重復多次，污染流程分析中應按照具體工序分別統(tǒng)計污染源和“三廢”排放量。

2. 污染源和污染物

(1) 廢氣

芯片生產各工序涉及的有毒有害氣態(tài)污染化學物質包括：

外延工序——SiH3、SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4、AsH3、B2H6、PH3、HC1、H2 清洗工序——H2S04、H202、HN03、HCK HF、h3po4、nh4f、nh4oh 光刻工序——異丙醇、醋酸丁酯、曱苯、ci2、bci3、c2f6、c3f8、cf4、sf6、hf、 HCK NO、C3H8、HBr、H2S

化學機械拋光——nh4oh、nh4ck koh,有機酸鹽

化學氣相沉積——SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4、CF4、B2H6、PH3、NH3、HCK HF、NH3

擴散、離子注入——BF3、AsH3、PH3、H2、SiH4、SiH2Cl2、BBr3、BC13、B2H6 金屬化工序-——SiH4、BC13、A1C13、TiCl4、WF6、TiF4、SiF4、A1F3、BF3、SF6 對于酸堿廢氣(HF、HCK H2S04、HN03、H3P04、Cl2、NH3)采用濕式洗滌塔處理，凈化效率為95%。

對于特殊氣體(SiH4、PH3、AsH3)采用碳纖維加濕式洗滌塔處理，凈化效率為85% ~

90%。

對于有機廢氣(VOC)采用沸石濃縮轉輪燃燒法處理，凈化效率為95%。

(2) 水污染物

芯片生產排放的廢水及處理方法為：

含氟廢水——來源顯影、刻蝕、CMP工序，處理方法為CaCl2沉淀法 酸堿廢水——來源清洗工序，處理方法為中和法

純水制備再生廢水——來源活性炭或樹脂及沖洗水，處理方法為中和法洗淶塔廢水——來源酸、堿噴淋，處理方法為中和法研磨廢水一來源研磨工序，采用沉淀法處理 生活污水一一生化法處理 (3 )固體廢物

危險廢物一疏酸廢渣、磷酸廢渣、顯影廢液、異丙醇廢液、硫酸銨廢液、廢有機

溶劑、廢光刻膠、污水處理站污泥

一般固體廢物廢金屬、廢玻璃、廢塑料(有機溶劑容器除外)、廢芯片、可回收包裝材料

生活垃圾

3.清潔生產

目前，國家公布的清潔生產名錄中，尚無集成電路的相關內容。環(huán)評中應在國內外類比調查基礎上從生產工藝、原材料、能源消耗等方面論證，用單位產品的物耗、能耗、 水耗，污染物產生量和排放量指標量化分析。在原料清潔性評價中以下化學品應不使用 或盡量少使用：①含氯的有機溶劑②氟氯烴③高毒化學品。

以下幾個指標應在環(huán)評中關注：

單位產品的原輔材料使用量 酸、硝酸、疏酸、鹽酸、氫氟酸、氫氧化銨、光

刻膠、顯影劑、丙酮、異丙醇。

單位產品的物耗、能耗指標一新鮮水、高純水、電、大宗工藝氣體、壓縮空氣、 蒸汽、冷量

單位產品污染物產生量和排放量——氟化物、HC1、硫酸霧、Cl2、硝酸霧、SiH4、 磷酸霧、PH3、AsH3、VOCs、COD, NH3—N、SS、F-、AOX、砷、硼、鎢

三、環(huán)境現(xiàn)狀調查與評價

芯片生產使用的化學原料種類多，新鮮水用量大，揮發(fā)性有機氣體和有機氟化物對環(huán)境空氣、地下水和土壤環(huán)境存在著潛在污染的可能。本項目生產用熱供應有兩種方式， 其一由區(qū)域集中供熱，其二為自建熱電站，后者使用的燃料為燃料油或燃料氣。芯片項 目廢水排放量很大，因此受納水體多為大江、大河，或者由所在地區(qū)污水處理廠接納。

環(huán)境現(xiàn)狀調查范圍應在確定的評價等級所需的評價范圍基礎上適當調整，該項目環(huán)境 空氣評價范圍應增加評價范圍以外的風景區(qū)、集中居民區(qū)等敏感點，地表水評價范圍應根據導則中關于評價等級調整的說明擴大評價范圍，另外應監(jiān)測地下水和土壤環(huán)境質量。

環(huán)境質量監(jiān)測除例行項目還應監(jiān)測特征污染物。

芯片生產排放的特征污染物中有一些沒有國家標準，應參考國外的相關標準，報請 當地環(huán)保主管部門批復后進行評價。

四、評價因子確定和預測方法

1.評價因子

廢氣污染物控制因子和環(huán)境空氣評價因子：S02、N02、PM10, NH3、氟化物、HC1、 Cl2、硫酸霧、非曱烷總烴

廢水污染物控制因子和地表水評價因子：pH、CODCr, NH3-N, F一、COD5、TOC、

AOX

地下水評價因子：pH、高錳酸鹽指數、硫酸鹽、氯化物、硝酸鹽、亞硝酸鹽、氨氮、 氟化物

土壤評價因子：Cd、Hg、As、Cu、Pb、Cr、Zn

聲環(huán)境：Leq(A)

工業(yè)固體廢物：新化學品廢物(HW14),含砷廢物(HW24)、廢酸(HW34)、 有機嶙化合物廢物(HW37)、廢有機溶劑(HW42)

中芯國際北京有限公司項目由北京經濟技術開發(fā)區(qū)熱力廠提供蒸汽、開發(fā)區(qū)污水處 理廠接納項目排水，可適當調整監(jiān)測項目，地下水和土壤中監(jiān)測硼、鎢項目沒有普遍性。

2.預測方法

芯片生產污染物對環(huán)境影響預測可以采用導則中推薦的模式，評價中要注意眾多排 氣筒的集合影響和集中污水處理廠接納項目排水條件下可以只做達到污水處理廠進水標準評價。

五、環(huán)境保護措施分析

該工程采用的環(huán)保措施基本可行，可使廢氣、廢水污染物滿足達標排放要求，固體 廢物和廢液處置方案也符合一般廢物和危險廢物污染控制標準要求。

此類項目廢氣和廢水中的污染物成分復雜、特殊，環(huán)保治理措施必須注意收集所有 污染物，有針對性處理，而且應進行環(huán)保措施的技術經濟論證，并按環(huán)保設施逐項明確投資，說明環(huán)境經濟效益。

六、環(huán)境可行性分析

1. 芯片項目用水量大，在水資源相對緊張地區(qū)發(fā)展該類項目需慎重。另一方面達 標排放的廢水中污染物濃度不高，雖回用于用水水質要求高的芯片生產比較困難，但可用于對水質要求不是很高的行業(yè)，例如冶金、機械制造等。作為生產用水，從區(qū)域角度 實現(xiàn)節(jié)約用水是可行的。

該案例中分析了取水保證性，并進行了節(jié)水論證，對于建在開發(fā)區(qū)的項目還應論證 開發(fā)區(qū)內水綜合利用途徑。

2. 本工程屬高科技項目，位于北京經濟技術開發(fā)區(qū)內，符合北京市城市總體規(guī)劃要求，但由于開發(fā)區(qū)內新建立一些居民區(qū)，有的距中芯公司很近，制約了公司的再發(fā)展。

3. 生產中使用大量化學危險品，存在偶發(fā)事故引起的環(huán)境風險，合理確定庫存量， 化工倉庫采用完善的安全制度是必需的。

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（責任編輯：中大編輯）