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2.突觸后電位
(1)興奮性突觸后電位(epsp):是指突觸后膜在某種神經(jīng)遞質(zhì)作用下產(chǎn)生的局部去極化電位變化。
產(chǎn)生機制是興奮性遞質(zhì)作用于突觸后膜的相應受體,使遞質(zhì)門控通道(化學門控通道)開放,后膜對na+和k+的通透性增大,并且由于na+的內(nèi)流大于k+的外流,故發(fā)生凈內(nèi)向電流,導致細胞膜的局部去極化。
(2)抑制性突觸后電位(ipsp):是指突觸后膜在某種神經(jīng)遞質(zhì)作用下產(chǎn)生的局部超極化電位變化。
產(chǎn)生機制為是抑制性中間神經(jīng)元釋放的抑制性遞質(zhì)作用于突觸后膜,使后膜上的遞質(zhì)門控氯通道開放,引起外向電流,結(jié)果使突觸后膜發(fā)生超極化。此外,ipsp的形成還可能與突觸后膜鉀通道的開放或鈉通道和鈣通道的關(guān)閉有關(guān)。
表7-1
興奮性突觸后電位及抑制性突觸后電位的區(qū)別
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epsp |
ipsp |
前膜釋放遞質(zhì)的性質(zhì) |
興奮性遞質(zhì) |
抑制性遞質(zhì) |
后膜對離子的通透性 |
提高na+、k+通透性 |
(責任編輯:中大編輯)
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